Семья и ребенок Информационный портал Опубликована спецификация стандарта USB 3.2"

Опубликована спецификация стандарта USB 3.2"

| | Нет комментариев| 05:49



Организация USB Implementers Forum (USB-IF) объявила о публикации спецификации стандарта USB 3.2 — высокоскоростного интерфейса для обмена данными между компьютерными и мобильными устройствами.


Опубликована спецификация стандарта USB 3.2"

О подготовке стандарта USB 3.2 было объявлено минувшим летом. Новая спецификация по сравнению с USB 3.1 Gen 2 предусматривает удвоение максимально возможной скорости передачи данных — с 10 до 20 Гбит/с. Такой показатель будет доступен при использовании кабелей с разъёмами USB Type-C. Для сравнения: интерфейс Thunderbolt 3 с разъёмом USB Type-C обеспечивает пропускную способность до 40 Гбит/с.

Для достижения скорости в 20 Гбит/с по интерфейсу USB с поддержкой спецификации USB 3.2 приобретать новые кабели не потребуется. Однако важно отметить, что удвоение пропускной способности гарантируется только для сертифицированных кабелей USB Type-C.

Опубликована спецификация стандарта USB 3.2"

Кабели USB Type-C с поддержкой USB 3.2 будут переводиться в двухканальный режим работы. Каждый из каналов обеспечит скорость в 5 или 10 Гбит/с. Таким образом, суммарная пропускная способность может составлять 10 или 20 Гбит/с.

Более подробно со спецификацией стандарта USB 3.2 можно ознакомиться здесь. 

Источник

Related Post

Sony PlayStation 4 появится на выставке Е3 2011?Sony PlayStation 4 появится на выставке Е3 2011?

| | Нет комментариев| 14:34


Во время состоявшейся на этой неделе конференции инвесторов вице-президент и финансовый директор Sony Масару Като (Masaru Kato) подтвердил данные о том, что его компания работает над игровой консолью следующего поколения.

Чип MediaTek Helio P22 обеспечивает поддержку экранов 20:9 и двойных камер"Чип MediaTek Helio P22 обеспечивает поддержку экранов 20:9 и двойных камер"

| | Нет комментариев| 20:15


Компания MediaTek пополнила семейство мобильных процессоров моделью Helio P22, рассчитанной на относительно недорогие смартфоны и фаблеты. Чип будет производиться на предприятиях TSMC с применением 12-нанометровой технологии FinFET. Основу изделия составляют